Résumé
L'ISO 23812:2009 spécifie un mode opératoire permettant l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples.
Elle ne s'applique pas à la région transitoire superficielle où la vitesse de pulvérisation n'est pas en régime permanent.
Elle s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.
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Informations générales
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État actuel: PubliéeDate de publication: 2009-04Stade: Norme internationale confirmée [90.93]
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Edition: 1Nombre de pages: 19
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Comité technique :ISO/TC 201/SC 6ICS :71.040.40
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